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FDS6910-TP
2个N沟道 耐压:30V 电流:10A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDS6910-TP
- 商品编号
- C41348172
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3535克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 841pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 15A
- 当栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关