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BSP122实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSP122

耐压:200V 电流:1A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
BSP122
商品编号
C41348144
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.2292克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))1.35Ω@10V
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)3.2nC@5V
输入电容(Ciss)148pF@25V
反向传输电容(Crss)11.3pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • VDS = -60V,ID = -16A
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON)为52mΩ(典型值)

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF