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BSP122实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSP122

耐压:200V 电流:1A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
BSP122
商品编号
C41348144
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.2292克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))1.35Ω@10V
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)3.2nC@5V
输入电容(Ciss)148pF
反向传输电容(Crss)11.3pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200V
  • 当栅源电压(VGS) = 10V 时,漏极电流(ID) = 1.0A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 1.35Ω
  • SOT - 223 封装

应用领域

  • 电源
  • 功率因数校正(PFC)
  • LED 电视

数据手册PDF