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FAD8253MX

半桥栅极驱动器，1200 V，源电流2.5 A/灌电流3.4 A

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描述: FAD8253是一款单片半桥栅极驱动IC，专为驱动最高+1200 V的高压、高速、高功率IGBT而设计。FAD8253采用安森美（ON）的高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行。该栅极驱动器包含针对高端和低端输出的IGBT阈值定制的欠压锁定（UVLO）电路，以防止当VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FAD8253MX
商品编号: C3655137
商品封装: SOIC-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.238克(g)

商品参数

商品概述

FAD8253是一款单片半桥栅极驱动器IC，专为驱动高达+1200 V的高压、高速和高功率IGBT而设计。FAD8253采用安森美（ON）的高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行。该栅极驱动器包含针对高端和低端输出的IGBT阈值定制的欠压锁定（UVLO）电路，以防止在VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障。 FAD8253内置了一个低端电流检测电路，在过流或短路情况下还具备软关断功能（针对低端）。驱动器在短路时可通过关断输出提供充分保护，同时生成故障输出以进行故障报告。此外，驱动器还提供了一个关断引脚，可从外部禁用驱动器输出，增加了使用的灵活性。

商品特性

用于自举操作的浮动通道，可达+1200 V
峰值输出电流能力：源极2.5 A/灌极3.4 A
在VBS = 15 V时，允许的负VS瞬态摆幅高达 -15 V
内置共模dv/dt噪声消除电路
独立的电源地和信号地，增强dl/dt抗扰性
匹配的传播延迟 <50 ns
兼容3.3 V和5 V输入逻辑
内置120 ns（典型值）死区时间的直通保护逻辑
针对高端和低端的内置UVLO功能，阈值针对IGBT进行了优化
内置带软关断功能的低端短路保护
采用SOIC14NB封装，带有未连接引脚，满足高压爬电距离和电气间隙要求
在过流或短路情况下进行故障报告
外部关断引脚，可启用或禁用驱动器输出
通过AEC - Q100认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
无铅器件

应用领域

高压辅助电机驱动
通用半桥和全桥驱动器
车载充电器和DC/DC转换器
牵引逆变器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3.4A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	2.5A
	工作电压	4.5V~18V
	上升时间(tr)	65ns
	下降时间(tf)	13ns
	工作温度	-40℃~+125℃