温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD5614P
1个P沟道 耐压:60V 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- FDD5614P
- 商品编号
- C3647112
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
STL20N6F7采用先进技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 60V、-15A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 75mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保器件可供选择
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED照明
相似推荐
其他推荐