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ES2102EI
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- N沟道，20V，4.5A，37.0mΩ@4.5V,4.0A，0.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES2102EI
- 商品编号
- C39832204
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V；47mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 323pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ES2102EI是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES2102EI为无铅产品。
商品特性
- 20V,RDS(ON) = 37 m Ω(典型值)@VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 47 m Ω(典型值)@VGS = 2.5V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换