温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSC070N10NS3G-ES
N沟道 耐压:100V 电流:83A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- BSC070N10NS3G-ES
- 商品编号
- C39832216
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1708克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 575pF |
商品概述
BSC070N10NS3G-ES是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅电荷条件下提供优异的RDS(ON)性能。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
商品特性
- 100V电压等级，典型RDS(ON) = 6.5mΩ @ VGS=10V
- 采用高密度元胞设计以实现低导通电阻
- 材料符合无卤要求
- 可靠且坚固耐用
- 具有雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式个人电脑的电源管理
- DC/DC转换
- AP40P05-ES
- PJA3441 R1 00001
- WST4041-ES
- HJ-8-65-20
- 1.5KE10CA
- 1.5KE33CA
- 1.5KE30CA
- 1.5KE75CA
- 1.5KE120CA
- 1.5KE47A
- 1.5KE180A
- P6KE51CA
- SMAJ3.3A
- SMBJ3.3A
- COSINA333-20MR
- COSINA333-50MR
- 4.5x4.5x3.8Waterproof Tact Switch SMT 260g
- 4.5x4.5x4.3Waterproof Tact Switch SMT 260g
- 4.5x4.5x4.5Waterproof Tact Switch SMT 260g
- 4.5x4.5x5.0Waterproof Tact Switch SMT 260g
- 4.5x4.5x3.8Waterproof Tact Switch DIP 260g