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IRF540NPBF-ES
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
- 描述
- N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRF540NPBF-ES
- 商品编号
- C39832212
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V；39mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.982nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
IRF540NPBF-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品IRF540NPBF-ES为无铅产品。
商品特性
- 100V，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 37 mΩ（典型值）@VGS = 10V，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 39 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换