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SI2309-ES
P沟道 耐压:60V 电流:2A
- 描述
- P沟道，-60V，-2.0A，170mΩ@-4.5V,-1.5A，-1.7V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2309-ES
- 商品编号
- C39832213
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V；190mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 496pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
SI2309-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SI2309-ES为无铅产品。
商品特性
- 60V,RDS(ON)=155mΩ(典型值)@VGS=-10V
- RDS(ON)=195mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换