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ES5N10S
N沟道,电流:2.6A,耐压:100V
- 描述
- N沟道，100V，2.6A，90mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES5N10S
- 商品编号
- C39832206
- 商品封装
- SOT23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
5N10-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品5N10-ES为无铅产品。
商品特性
- 100V,RDS(ON) = 90 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 120 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换