温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS214NWH6327
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.5A
- 描述
- 特性：N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101认证。100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS214NWH6327
- 商品编号
- C412741
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@3.7uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 143pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单