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BSZ097N04LSG
1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据ICC1249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ097N04LSG
- 商品编号
- C412744
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@14uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
优惠活动
购买数量
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