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IRFB7434PBF
1个N沟道 耐压:40V 电流:317A
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- 描述
- 特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征了电容和雪崩 SOA。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFB7434PBF
- 商品编号
- C415697
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 317A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 216nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.14nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.54nF |
商品特性
- 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 完整表征的电容和雪崩安全工作区
- 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力
- 无铅*
- 符合RoHS标准，无卤*
应用领域
- 有刷电机驱动应用-无刷直流电机驱动应用-电池供电电路-半桥和全桥拓扑-同步整流器应用-谐振模式电源-或门和冗余电源开关-DC/DC和AC/DC转换器-DC/AC逆变器