温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD15571Q2
1个N沟道 耐压:20V 电流:22A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD15571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD15571Q2
- 商品编号
- C412825
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 419pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 239pF |
商品概述
此功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层，符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
应用领域
- 存储、平板电脑和手持类器件
- 负载开关应用
- 控制场效应晶体管 (FET) 应用
- 负载点同步降压转换器