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PJM2302NSA-S
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 特性：快速开关。 低栅极电荷和RDS(on)。 高功率和电流处理能力。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM2302NSA-S
- 商品编号
- C411710
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用小型薄型封装，占用空间小
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 4.5 mΩ (典型值) (栅源电压 (VGS) = 4.5 V)
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流 (IDSS) = 10 μA (最大值) (漏源电压 (VDS) = 20 V)
- 增强型：阈值电压 (Vth) = 0.5 至 1.2 V (漏源电压 (VDS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 0.5 mA)
应用领域
- 锂离子二次电池