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PJM3407PSA
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
- 描述
- 特性：VDS =-30V。 ID =-4.1A。 RDS(on) = 50mΩ (典型值) @ VGS =-10V。 高密度单元设计，实现超低 RDS(ON)。 低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM 应用
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM3407PSA
- 商品编号
- C411719
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -4.1 A
- RDS(on) = 50 mΩ(典型值)@ VGS = -10 V
- 采用高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 栅极电荷低
应用领域
- 负载开关和PWM应用
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