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PJM3400NSA
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。应用：负载开关和PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM3400NSA
- 商品编号
- C411712
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 5.8 A
- 当栅源电压(VGS) = 2.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 59 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 45 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 41 mΩ
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 负载开关和 PWM 应用
- 电源管理