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PJM138NSA
1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
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- 描述
- 特性：SOT-23封装。 坚固可靠。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 ESD保护（HBM）高达2KV。 VDS = 50V，Id = 0.22A，RDS(on) < 3.5Ω @ VGS = 10V。应用：固态继电器。 电池供电系统
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM138NSA
- 商品编号
- C411713
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：20 个3000个/圆盘
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