温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJM2301PSA-S
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：VDS = -20V，ID = -2A。 RDS(ON) = 120mΩ（典型值）@VGS = 2.5V。 RDS(ON) = 88mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 高功率和电流处理能力。 无卤和无锑。 表面贴装封装。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM2301PSA-S
- 商品编号
- C411716
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -2 A
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） = 120 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） = 88 mΩ（典型值）
- 高功率和高电流处理能力
- 无卤素和锑
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理