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STP8NK100Z
1个N沟道 耐压:1000V 电流:6.5A
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- 描述
- N沟道 1000V 6.5A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP8NK100Z
- 商品编号
- C411402
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@800V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 174pF |
商品概述
SuperMESH系列是对意法半导体（ST）成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛的应用中具备出色的dv/dt能力。该系列完善了意法半导体的高压MOSFET全产品线，其中包括具有创新性的MDmesh产品。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩额定
- 增强的ESD能力
- 极低的本征电容
应用领域
- 大电流开关应用-非常适合离线式电源