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STH80N10F7-2
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH80N10F7-2
- 商品编号
- C411894
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@50V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件采用了意法半导体（ST）专有 STripFET™ 技术的第七代设计规则，并配备了全新的栅极结构。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中均呈现出最低的导通电阻 RDS(on)。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用