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STW4N150
1个N沟道 耐压:1500V 电流:4A
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- 描述
- 采用成熟的高压MESH OVERLAY™工艺，设计了一系列性能卓越的超高压功率MOSFET。强化的版图设计与专有的边缘终端结构相结合，使单位面积的 $\mathsf{R}_{\mathsf{D S}(\mathsf{o n})}$ 达到最低，同时具备无可匹敌的栅极电荷和开关特性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW4N150
- 商品编号
- C412183
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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