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PD84001
1个N沟道 耐压:18V 电流:1.5A
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- 描述
- RF功率LDMOS晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD84001
- 商品编号
- C411392
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 14.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13.3pF |
商品概述
PD84001是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带的商业和工业应用而设计。在共源极模式下，它可在高达1 GHz的频率、7V电压下工作。 PD84001卓越的增益和效率使其成为便携式无线电和超高频（UHF）射频识别（RFID）阅读器的理想解决方案。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 宽带性能:在870 MHz频率下,输出功率(POUT)为1 W,增益为15 dB
- 塑料封装
- 静电放电(ESD)保护
- 卷带包装供货
- 符合2002/95/EC欧洲指令