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L6598D013TR

600V 8V~16.6V

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描述: L6598器件采用BCD Tm离线技术制造，能够确保高达600 V的额定电压，使其非常适合用于AC/DC适配器以及任何采用谐振拓扑结构有益的场合。该器件旨在以经典半桥拓扑结构驱动两个功率MOSFET。一个专用定时部分允许设计人员设置软启动时间、软启动和最小频率。还提供了一个误差放大器以及两个使能输入。此外，集成的自举二极管和低压电源上的齐纳钳位功能，将应用所需的外部元件数量降至最低。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6598D013TR
商品编号: C411395
商品封装: SO-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.337克(g)

商品参数

商品概述

L6598器件采用BCD Tm离线技术制造，能够确保高达600 V的额定电压，使其非常适合用于AC/DC适配器以及任何采用谐振拓扑结构有益的场合。该器件旨在以经典半桥拓扑结构驱动两个功率MOSFET。一个专用定时部分允许设计人员设置软启动时间、软启动和最小频率。还提供了一个误差放大器以及两个使能输入。此外，集成的自举二极管和低压电源上的齐纳钳位功能，将应用所需的外部元件数量降至最低。

商品特性

高达600 V的高压轨
在全温度范围内dV/dt抗扰度为±50 V/ns
驱动电流能力：源电流250 mA，灌电流450 mA
带1 nF负载时，开关时间为上升/下降80/40 ns
CMOS关断输入
欠压锁定
软启动频率偏移定时
用于闭环控制或保护功能的检测运算放大器
高精度电流控制振荡器
集成自举二极管
Vs钳位
提供DIP16和SO16封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	AC-DC控制器和稳压器
	是否隔离	隔离
	工作电压	8V~16.6V
	开关频率	400kHz
	输出电流	450mA
	耗散功率(Pd)	-
	最大占空比	50%

	属性	参数值
	晶体管耐压	600V
	拓扑结构	半桥式
	功能特性	欠压锁定；可调软启动；欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	工作模式	-
	输出电压	-
	反馈方式	-