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BGSX22G5A10E6327

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描述: 专为 LTE 和 WCDMA 三天线应用而设计。此双刀双掷开关（DPDT）在射频端口之间提供低插入损耗和低谐波生成，并具有高隔离度。通过 GPIO 接口控制开关。片上控制器允许电源电压范围为 1.65V 至 3.4V。该开关具有直接连接电池功能和无直流的射频端口。与砷化镓技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流阻隔电容。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度，包括固有的更高 ESD 鲁棒性。尺寸非常小，仅为 1.1×1.5 mm²，最大厚度为 0.55 mm。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BGSX22G5A10E6327
商品编号: C3304085
商品封装: UFQFN-10
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0168克(g)

商品概述

BGSX22G5A10 RF MOS开关专为LTE和WCDMA三重天线应用设计。此DPDT开关提供低插入损耗和低谐波生成，并具有RF端口之间的高隔离度。开关通过GPIO接口进行控制。片上控制器支持1.65V至3.4V的电源电压。该开关具备直接连接电池功能和无DC的RF端口。与GaAs技术不同，仅在外部施加DC电压时，RF端口才需要外部DC阻断电容。BGSX22G5A10 RF开关采用英飞凌专利的MOS技术制造，在性能上媲美GaAs，同时兼具传统CMOS的经济性和集成性。

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	100MHz~6GHz
	隔离度	38dB

	属性	参数值
	插入损耗	1.1dB
	工作电压	1.65V~3.4V
	工作温度	-40℃~+85℃