BGSX33M5U16E6327XTSA1
3P3T天线交叉开关带MIPIRFFE控制接口
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- BGSX33M5U16RFCMOS开关专为LTE和5GFR1三天线应用设计。此三极三掷(3P3T)交叉开关提供低插入损耗和低谐波生成。开关通过MIPIRFFE控制接口控制,允许从1.65到1.95V的电源电压。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGSX33M5U16E6327XTSA1
- 商品编号
- C3304768
- 商品封装
- ULGA-16(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 400MHz~7.125GHz | |
| 隔离度 | 48dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.58dB | |
| 工作电压 | 1.6V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BGSX33M5U16射频CMOS开关专为LTE和5G FR1三天线应用而设计。这款三刀三掷(3P3T)交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器支持1.65至1.95 V的电源电压。与砷化镓(GaAs)技术不同,只有在外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部隔直电容。该器件尺寸极小,仅为2.0 mm × 2.0 mm,厚度为0.6 mm。
商品特性
- 高达38 dBm峰值功率的高线性度
- 适用于5G SRS应用的快速切换时间(最大2 μs)
- 低插入损耗和高达7.125 GHz的高端口间隔离度
- 低功耗,可使用MIPI RFFE电源
- MIPI RFFE 2.1控制接口
- 软件和硬件可编程的USID
- 超薄无引脚塑料封装(MSL - 1,符合IPC/JEDEC J - STD - 20标准,260 ℃)
应用领域
- 蜂窝移动设备的三天线路由/切换
- 5G SRS应用的三天线路由/切换
- GSM、WCDMA、LTE和5G FR1应用
- 4x4 MIMO应用
- 降低比吸收率(SAR)
