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BGSX44MU18E6327XUSA1实物图
  • BGSX44MU18E6327XUSA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BGSX44MU18E6327XUSA1

BGSX44MU18E6327XUSA1

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描述
RF CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器允许电源电压为1.65至1.95V。该开关具有直接连接电池的功能和无直流的RF端口。与GaAs技术不同,只有在外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流阻断电容。该器件尺寸非常小,仅为2.0mm×2.4mm,厚度为0.63mm。
商品型号
BGSX44MU18E6327XUSA1
商品编号
C3304091
商品封装
WLGA-18​
包装方式
编带
商品毛重
0.064克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录射频开关
频率400MHz~7.125GHz
隔离度-
属性参数值
插入损耗1.5dB
工作电压1.6V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

BGSX44MU18射频CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器支持1.65至1.95V的电源电压。该开关具备直接连接电池的功能和无直流偏置的射频端口。与砷化镓技术不同,只有在外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部隔直电容。该器件尺寸极小,仅为2.0 mm×2.4 mm,厚度为0.63 mm。

商品特性

  • 高达37 dBm峰值功率的高线性度
  • 适用于5G SRS应用的快速切换时间(最大2 μs)
  • 高达7.125 GHz的低插入损耗和高端口间隔离度
  • 低功耗,可使用MIPI RFFE电源
  • MIPI RFFE 2.1控制接口
  • 软件和硬件可编程的USID
  • 超薄无引脚塑料封装(MSL - 3,按照IPC/JEDEC J - STD - 20标准,260 ℃)
  • 符合RoHS和WEEE标准的封装
  • 无卤
  • 无铅

应用领域

  • 蜂窝移动设备的4P4T天线路由/切换
  • 5G SRS应用的4P4T天线路由/切换
  • GSM、WCDMA、LTE和5G FR1应用
  • 4x4 MIMO应用
  • 降低比吸收率(SAR)

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(4500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个4500个/圆盘

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