BGSX44MU18E6327XUSA1
BGSX44MU18E6327XUSA1
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- 描述
- RF CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器允许电源电压为1.65至1.95V。该开关具有直接连接电池的功能和无直流的RF端口。与GaAs技术不同,只有在外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流阻断电容。该器件尺寸非常小,仅为2.0mm×2.4mm,厚度为0.63mm。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGSX44MU18E6327XUSA1
- 商品编号
- C3304091
- 商品封装
- WLGA-18
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 400MHz~7.125GHz | |
| 隔离度 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1.5dB | |
| 工作电压 | 1.6V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BGSX44MU18射频CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器支持1.65至1.95V的电源电压。该开关具备直接连接电池的功能和无直流偏置的射频端口。与砷化镓技术不同,只有在外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部隔直电容。该器件尺寸极小,仅为2.0 mm×2.4 mm,厚度为0.63 mm。
商品特性
- 高达37 dBm峰值功率的高线性度
- 适用于5G SRS应用的快速切换时间(最大2 μs)
- 高达7.125 GHz的低插入损耗和高端口间隔离度
- 低功耗,可使用MIPI RFFE电源
- MIPI RFFE 2.1控制接口
- 软件和硬件可编程的USID
- 超薄无引脚塑料封装(MSL - 3,按照IPC/JEDEC J - STD - 20标准,260 ℃)
- 符合RoHS和WEEE标准的封装
- 无卤
- 无铅
应用领域
- 蜂窝移动设备的4P4T天线路由/切换
- 5G SRS应用的4P4T天线路由/切换
- GSM、WCDMA、LTE和5G FR1应用
- 4x4 MIMO应用
- 降低比吸收率(SAR)
优惠活动
购买数量
(4500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交4单
