BGS12AL7-4E6327
BGS12AL7-4SPDT射频开关数据手册
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- 描述
- BGS12AL7-4是一款通用射频MOS开关，设计用于从30MHz到3GHz的广泛应用。其单刀双掷配置对称设计，提供TTL兼容控制输入信号。开关具有非常低的插入损耗，1GHz时为0.4dB，2GHz时为0.5dB。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS12AL7-4E6327
- 商品编号
- C3304088
- 商品封装
- DFN-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 频率 | - |
商品概述
BGS12AL7 - 4通用射频MOS开关的设计覆盖了从30 MHz到3 GHz的广泛应用范围。其单刀双掷配置的对称设计提供了高度的设计灵活性。这款单电源芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过了开关21 dBm的最大输入功率电平，从而在所有信号电平下都能实现线性性能。该射频开关在1 GHz时插入损耗低至0.4 dB，在2 GHz时为0.5 dB。 与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流阻隔电容。
商品特性
- 低插入损耗
- 高端口间隔离度
- 低谐波产生
- 片上控制逻辑
- 高静电放电（ESD）鲁棒性
- 无需外部组件
- 适用于高达3 GHz应用的通用开关
- 小型无引脚封装TSLP - 7 - 6
- 无铅无卤封装（符合RoHS和WEEE标准）
- BGS12AL7 - 4射频开关采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高ESD鲁棒性。