MA4AGSW8-1

一款铝镓砷（Aluminum-Gallium Arsenide）单刀八掷（SP8T）PIN 二极管开关。该开关采用专利异质结技术形成增强型 AlGaAs 阳极。与采用传统 GaAs 工艺制造的器件相比，AlGaAs 技术制造的开关损耗更低。在 50 GHz 时，插入损耗可降低多达 0.3 dB。该器件采用旨在实现高器件一致性和极低寄生效应的工艺，在 OMCVD 外延片上制造。芯片内的二极管具有低串联电阻、低电容和快速开关速度的特点。它们采用氮化硅进行全面钝化处理，并额外增加了一层聚合物以防止刮擦。这种保护涂层可防止在处理和组装过程中对二极管结和芯片阳极空气桥造成损坏。需要片外偏置电路。

• 超宽带宽：50 MHz 至 40 GHz
• 功能带宽：50 MHz 至 50 GHz
• 低电流消耗：低损耗状态下为 -10 mA，隔离状态下为 +10 mA
• M/A-COM 独特的 AlGaAs 异质结阳极技术
• 氮化硅钝化处理
• 聚合物防刮保护

• 快速响应、高频、多掷开关设计
• 雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组件中的开关阵列