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NJG1812ME4-TE1

高功率DPDT射频开关GaAsMMIC

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描述: NJG1812ME4是一款GaAsDPDT射频开关MMIC，适用于LTE/UMTS/CDMA/GSM应用。该开关具有非常低的插入损耗和低失真，最高工作频率可达3GHz。此外，该开关能够处理高功率信号，并且具有ESD保护功能。
品牌名称: Nisshinbo
商品型号: NJG1812ME4-TE1
商品编号: C3303765
商品封装: EQFN-12(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.066克(g)

商品概述

NJG1812ME4是一款砷化镓双刀双掷（DPDT）开关单片微波集成电路（MMIC），适用于LTE/UMTS/CDMA/GSM应用中的天线切换。 NJG1812ME4的特点是插入损耗极低、失真小，在高达3GHz的高频下，即使控制电压低至1.8V（1位控制），仍具有出色的线性性能。此外，该开关能够处理高功率信号。 NJG1812ME4配备了静电放电（ESD）保护装置，具备出色的ESD性能。除非外部施加直流偏置，否则所有射频端口无需直流隔直电容。该产品采用了小巧轻薄的EQFN12 - E4封装。

商品特性

低电压逻辑控制VCTL(H)=1.35V至5.0V
低电压工作VDD=典型值2.7V
低插入损耗典型值0.25dB @ f = 900MHz，PIN = +35dBm；典型值0.35dB @ f = 1900MHz，PIN = +33dBm；典型值0.45dB @ f = 2700MHz，PIN = +27dBm
低失真二次谐波=典型值 - 89dBm @ f = 786.5MHz，PIN = +23dBm；三次谐波=典型值 - 89dBm @ f = 710MHz，PIN = +23dBm
P - 0.1dB 最小+36dBm
超小超薄封装EQFN12 - E4（封装尺寸：典型值2.0×2.0×0.397mm）
符合RoHS标准且无卤，湿敏等级1级

应用领域

天线切换
通用开关应用
LTE、UMTS、CDMA、GSM系统

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	-
	隔离度	17dB

	属性	参数值
	插入损耗	0.45dB
	工作电压	2.4V~5V
	工作温度	-40℃~+105℃