NJG1817ME4-TE1

一款高功率单刀双掷（SPDT）开关砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），适用于5G基站系统，也可用于需要高功率的商用无线电系统。 该开关具备+40dBm的高功率处理能力。其特点是在高达6GHz的频率范围内具有高线性度和低插入损耗。此外，其高开关速度足以满足5G通信需求。每个射频（RF）端口均集成了静电放电（ESD）保护器件，实现了出色的ESD鲁棒性。 尽管具备高功率处理能力，它采用了2mm x 2mm的EQFN12 - E4小尺寸封装。

• 控制电压范围：2.7V至5.0V
• 低插入损耗：
  • 典型值0.35dB @ 3.85GHz，VCTL(H)=3.3V
  • 典型值0.40dB <4.7GHz，VCTL(H)=3.3V
  • 典型值0.45dB <6.0GHz，VCTL(H)=3.3V
• 高隔离度：
  • 典型值27dB @ 3.85GHz，VCTL(H)=3.3V
  • 典型值27dB <4.7GHz，VCTL(H)=3.3V
  • 典型值25dB <6.0GHz，VCTL(H)=3.3V
• 高线性度：P0.1dB = 典型值+40dBm <6.0GHz，VCTL(H)=3.3V
• 高开关速度：典型值150ns
• 小型薄型封装EQFN12 - E4（典型尺寸2.0mm x 2.0mm x 0.397mm）
• 符合RoHS标准且无卤素，湿敏等级1级（MSL1）

• 5G（Sub - 6GHz）小基站
• 商用无线电应用
• 发射/接收切换、天线切换及其他切换应用