MASW-008853-001SMB
2.7V高功率射频开关,DC-5.0GHz
- 描述
- M/A-COM的MASW-008853是一种基于GaAsPHEMT技术的单刀双掷(SPDT)高功率开关,采用低成本的六引脚SC70封装。该开关适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- MASW-008853-001SMB
- 商品编号
- C3304184
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 0Hz~5GHz | |
| 隔离度 | 25dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.25dB | |
| 工作电压 | 2.7V~8.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
一款采用低成本SC70六引脚封装的砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)单刀双掷(SPDT)高功率开关。MASW - 008853非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。 典型应用包括CDMA手机系统,该系统将独立的收发器和/或GPS功能连接到共用天线,以及其他相关手机和通用应用。MASW - 008853可用于所有工作频率高达5.0 GHz、在低控制电压下需要高功率的系统。 MASW - 008853采用0.5微米栅长的GaAs pHEMT工艺制造。该工艺具有全钝化特性,以确保性能和可靠性。
商品特性
- 低电压工作:2.7 V
- 高功率:+38 dBm(典型值)P0.1dB
- 高三阶交调截点(IP3):+56 dBm
- 低插入损耗:在1 GHz时为0.25 dB
- 高隔离度:在1 GHz时为25 dB
- 无铅SC70封装
- 铜上100%雾锡电镀
- 无卤“绿色”模塑料
- 符合RoHS*标准,兼容260℃回流焊
应用领域
- CDMA手机系统
- 其他相关手机和通用应用
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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