MASW-009482-TR3000
GaAs宽带高功率SP3T射频开关
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- 描述
- MASW-009482是一种行业领先的GaAspHEMT单刀三掷(SP3T)开关,采用无铅2mm12引脚STQFN封装,引脚间距为0.5mm。该开关设计对称,可在所有三条路径中提供出色的交调性能,同时保持优异的插入损耗和隔离度。
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- MASW-009482-TR3000
- 商品编号
- C3304491
- 商品封装
- UFQFN-12(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 频率 | - |
商品概述
MASW - 009482是一款采用无铅2 mm 12引脚STQFN封装、引脚间距为0.5 mm的砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)单片微波集成电路(MMIC)单刀三掷(SP3T)开关。MASW - 009482的独特配置使其能够实现从公共天线端口切换至CDMA蜂窝、个人通信服务(PCS)或先进无线服务(AWS)端口。对于需要紧凑型、高性能、对称SP3T开关的其他应用,它也是理想之选。 该设计为对称设计,已针对所有三条路径的出色互调性能进行了全面优化,同时仍保持了优异的插入损耗和隔离度。对称设计允许用户根据布局优化需求,将CDMA蜂窝、PCS和AWS分配给RF1、RF2或RF3端口。 MASW - 009482采用0.5微米栅长的GaAs pHEMT工艺制造。该工艺具有全钝化特性,以确保性能和可靠性。
商品特性
- CDMA手机切换应用
- 平衡(对称)RF端口
- 低互调
- 低插入损耗:在1 GHz时为0.55 dB
- 高隔离度:在1 GHz时为27 dB
- 高功率:在1 GHz时P0.1dB = 36 dBm
- 0.5微米GaAs pHEMT工艺
- 无铅2 mm 12引脚STQFN封装,引脚间距为0.5 mm
- 无卤“绿色”模塑料
- 符合RoHS标准,兼容260℃回流焊
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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