MASWSS0176TR-3000
0.05-3GHzGaAsSPDT射频开关
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- 描述
- M/A-COM的MASWSS0176是一款基于GaAsPHEMT工艺的单刀双掷(SPDT)射频开关,采用低成本、无铅SOT-26表面贴装塑料封装。该开关适用于需要小型化和低成本的应用,如双频系统中的小信号组件切换,例如滤波器组、单频带低噪声放大器、转换器等。
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- MASWSS0176TR-3000
- 商品编号
- C3304463
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 50MHz~3GHz | |
| 隔离度 | 21dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.35dB | |
| 工作电压 | 8.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
一款采用低成本、无铅SOT - 26表面贴装塑料封装的砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)单刀双掷(SPDT)开关。MASWSS0176非常适合对尺寸和成本有要求的应用场景。 典型应用包括需要在滤波器组、单频段低噪声放大器(LNA)、转换器等小信号组件之间进行切换的双频段系统。该器件可用于所有工作频率高达3 GHz的系统中的低功率、低损耗需求,包括个人通信系统(PCS)、全球移动通信系统(GSM)、数字蜂窝系统(DCS)、卫星广播、蓝牙以及其他接收链路应用。 MASWSS0176采用0.5微米栅长的砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺制造。该工艺采用全钝化处理,以确保性能和可靠性。
商品特性
- 低插入损耗:0.35 dB @ 2.4 GHz
- 中等隔离度:21 dB @ 2.4 GHz
- 低电流消耗:5 μA @ 2.5 V
- 无铅SOT - 26封装
- 铜基底上100%雾锡电镀
- 无卤“绿色”模塑料
- 兼容260℃回流焊
- 符合RoHS标准的MASWSS0005版本
应用领域
- 双频段系统
- 个人通信系统(PCS)
- 全球移动通信系统(GSM)
- 数字蜂窝系统(DCS)
- 卫星广播
- 蓝牙
- 其他接收链路应用
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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