2SK3700(F)
1个N沟道 耐压:900V 电流:5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3700(F)
- 商品编号
- C3291286
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
RM135N100HD采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 2.0 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.5 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 100 \mu A(最大值)(VDS = 720 V)
- 增强型模式:V\textth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流