FDB8160-F085
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8160-F085
- 商品编号
- C3291176
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 254W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 243nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.825nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.24nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.81nF |
商品特性
- 高效PWM优化
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供N沟道MOSFET