RM18P100HDE
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM18P100HDE
- 商品编号
- C3291138
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -100 V,ID = -18 A
- 当VGS = -10 V时,RDS(ON) < 100 mΩ(典型值:85 mΩ)
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠且耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-笔记本电脑的电源管理-便携式设备和电池供电系统