RM110N150HD
1个N沟道 耐压:150V 电流:113A
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM110N150HD
- 商品编号
- C3291131
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 113A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 273W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.362nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 150V,ID = 113A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 8.8mΩ
- 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 无卤
- 产品型号后缀V表示符合AEC-Q101标准,例如:RM110N150HDV
应用领域
-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流