ISL9N306AD3ST
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ISL9N306AD3ST
- 商品编号
- C3290971
- 商品封装
- TO-252-3(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关型DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 5.3A、200V，在VGS = 10V时，RDS(on) = 0.69Ω
- 低栅极电荷（典型值8.0nC）
- 低Crss（典型值9.0pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关型DC/DC转换器-开关电源-不间断电源用DC-AC转换器-电机控制