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FDD6672A
1个N沟道 耐压:30V 电流:65A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6672A
- 商品编号
- C3290922
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。在小封装中实现极低的漏源导通电阻。
商品特性
- R D S (ON) = 8 m Ω(V G S = 1 0 V 时)
- 65 A, 30 V,RDS(ON) = 9.5 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷(典型值为33 nC)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器