FDD6776A
1个N沟道 耐压:25V 电流:17.7A 电流:30A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6776A
- 商品编号
- C3290921
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
RM50N60IP采用先进的沟槽技术和设计，在栅极电荷较低的情况下，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种场合。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 50A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性经过全面表征
- 具有高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具有高静电放电（ESD）能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源