FDD8750
1个N沟道 耐压:25V 电流:2.7A 电流:6.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8750
- 商品编号
- C3290920
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 425pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲而设计。这些器件非常适合基于互补半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 2.7 A 时,最大 rDS(on) = 40 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A 时,最大 rDS(on) = 60 m Ω
- 低栅极电荷:Qg(10) = 6 nC(典型值)
- 低栅极电阻
- 雪崩额定且经过100%测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 低电流DC-DC开关
- 线性稳压