FDD6680S
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6680S
- 商品编号
- C3290919
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 186pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 526pF |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）的特征尺寸，能实现硅的最佳利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 55 A、30 V;VGS = 10 V时,RDS(ON) = 11 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 17 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型值17nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器