FQD1N50TM
1个N沟道 耐压:500V 电流:1.1A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD1N50TM
- 商品编号
- C3290918
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.023 Ω，vGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.027 Ω，VGS = 5 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线