RM150N30LT2
N沟道,电流:150A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM150N30LT2
- 商品编号
- C3290364
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 308pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM150N30LT2采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 150A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 3.5mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 6.0mΩ
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源-无卤