RM150N60T2
N沟道,电流:150A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM150N60T2
- 商品编号
- C3290314
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器、开关电源。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 150A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 4.5mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完整
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源