RM110N82T2
N沟道,电流:110A,耐压:82V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM110N82T2
- 商品编号
- C3290312
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 82V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 318pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 82V,ID = 110A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 7 mΩ(典型值:5.9 mΩ)
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性经过全面表征
- 具有高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
- 无卤