RM10N100S8
N沟道,电流:10A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM10N100S8
- 商品编号
- C3289852
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.8nC@50V10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 100V,ID = 10A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 14mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 21mΩ
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
应用领域
- DC/DC初级侧开关
- 电信/服务器
- 同步整流
- 无卤