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IPD80R900P7ATMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R900P7ATMA1
- 商品编号
- C3289144
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458974克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 900mΩ@2.2A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@110uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 350pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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