RM120N30DF
N沟道,电流:120A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM120N30DF
- 商品编号
- C3288306
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品特性
- 超低栅极电荷和低有效输出电容
- 更低的品质因数（(RDS(on))最大值 × Qg典型值和RDS(on)最大值 × EOSS）
- 经过100%雪崩测试
- 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准