IPU80R750P7AKMA1-ND
1个N沟道 耐压:800V 电流:7A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPU80R750P7AKMA1-ND
- 商品编号
- C3282945
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@140uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用微型SOT223封装的P沟道增强型垂直双扩散MOS晶体管，适用于继电器、高速驱动器和线路变压器驱动器。
商品特性
- 低漏源导通电阻 (RDS(on))
- 可与C-MOS、TTL等直接接口
- 高速开关
- 无二次击穿
应用领域
-继电器-高速驱动器-线路变压器驱动器